规格或纯度
(单晶基板)<111>,直径厚度为2英寸×0.5毫米英文名称
Gallium phosphide物理属性
未掺杂的(N 型半导体),载流子浓度 = 2-6×1016cm-3,蚀坑密度 <3×10 5 cm -2 ,生长技术为液封直拉法 热膨胀:5.3×10 -6 /°C
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沪(金)应总管危经许[2024]201219
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