英文别名Gallium phosphide|12063-98-8|Gallium monophosphide|gallanylidynephosphane|Gallium phosphide (GaP)|CCRIS 4019|EINECS 235-057-2|UNII-3J421F73DV|3J421F73DV|DTXSID60894184|Gallium Phosphoricum|GALLIUM PHOSPHIDE [MI]|Gallium Phosphide Nanodispersion|DTXCID3013
规格或纯度
(单晶基板)<111>,直径厚度为2英寸×0.5毫米
英文名称
Gallium phosphide
物理属性
未掺杂的(N 型半导体),载流子浓度 = 2-6×1016cm-3,蚀坑密度 <3×10 5 cm -2 ,生长技术为液封直拉法 热膨胀:5.3×10 -6 /°C