| 品牌 | 货号 | 期货/现货 | 规格 | 价格 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| 罗恩 | R031931-5g | 现货 | 5g | 833 折扣中 |
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| 罗恩 | R031931-25g | 期货 | 25g | 2994 |
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| 剑颀 | 需求量较大，更多产品规格和价格请联系我们张经理（电话/微信：13761527386），为您定制报价与合作方案。 | 现货 | 吨 | 0 |
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需求量较大，更多产品规格和价格请联系我们张经理（电话/微信：13761527386），为您定制报价与合作方案。
化合物简介
砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路[a]、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件。
基本信息
中文别名：
英文别名：EINECS 215-114-8;Gallium monoarsenide;arsanylidynegallium;GALLIUM ARSENIDE;
分子式：AsGa
分子量：144.645
精确质量：143.847
Psa：0.0
Logp：-0.3116
生产方法
先往一端封闭的透明石英安瓿中送入装有纯镓的石英盘,然后加入纯砷,在5×10-6Torr(1Torr=133 322Pa)下,真空封口。砷的加入量为其当量的1.1～1.2倍(因为砷是利用蒸气压控制的,所以加入量必须比充满整个安瓿还要多一些)。为防止砷化镓及盘受潮湿,必须向盘里面喷砂大约150～300次。将上述安瓿装好,装有砷的A炉加热到610℃,装有镓的B炉加热到1250℃(根据安瓿的大小,可按砷摩尔量的1.1～1.2倍加入之)。 加热到610℃的砷的蒸气压为101.325kPa,与加热到1250℃的镓进行反应,产生砷化镓。经过4～5h后,将安瓿每1h往A炉拉出5～20mm,则从盘的前端逐渐生长出单晶。 用于制造光电器件(LCD),激光器(LD),场效应晶体管(FET),高电子迁移率晶体管(HEMT),异质结双极晶体管(HBT),高速器件和微波单片集成电路(MMIC),微波/毫米波集成电路(MIMIC),高速集成电路,太阳电池。
用途
用于制造光电器件(LCD),激光器(LD),场效应晶体管(FET),高电子迁移率晶体管(HEMT),异质结双极晶体管(HBT),高速器件和微波单片集成电路(MMIC),微波/毫米波集成电路(MIMIC),高速集成电路,太阳电池。
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沪(金)应总管危经许[2024]201219
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